ComputerSalg.se : Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - Solid state drive - krypterat - 1 TB - inbyggd - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - buffert: 1 GB - 256 bitars AES - TCG Opal Encryption
08-124 551 00 vardagar 10:00-16:00 - salg@computersalg.se
ComputerSalg
ComputerSalg

Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - Solid state drive - krypterat - 1 TB - inbyggd - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - buffert: 1 GB - 256 bitars AES - TCG Opal Encryption

Art.nr.: [5019674] | Tillverkare: Samsung | Modell-nr.: MZ-V7S1T0BW | EAN: 8801643628086

ComputerSalg.dk
Läs ytterligare specifikationer och beskrivningar
Finns i lager, beställ före kl. 16:00 så skickar vi idag (vardagar) Mer info

LAGERKAMPANJ

Det finns 9 enheter i lager

Det aktuella priset är giltigt så länge det lokala lagret räcker

SEK 1.717,75
ex. moms 1.374,20
Totalt inkl. frakt 1.717,75
Lägg i korgen
Skicka länk via e-post Lägg till i listan Spara till senare
The ultimate in performance, upgraded. Faster than the 970 EVO, the 970 EVO Plus is powered by the latest V-NAND technology and firmware optimization. It maximizes the potential of NVMe bandwidth for unbeatable computing.

The 970 EVO Plus reaches sequential read/write speeds up to 3,500/3,300 MB/s, up to 57% faster than the 970 EVO. The latest V-NAND technology - which brings greater NAND performance and higher power efficiency - along with optimized firmware, a Phoenix controller, and Intelligent TurboWrite boost speed.
  • Specifikationer
  • Specifikationer - Detaljerade
ProduktbeskrivningSamsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - solid state drive - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
TypSolid state drive - inbyggd
Kapacitet1 TB
MaskinvarukrypteringJa
Krypteringsalgoritm256 bitars AES
NAND-flashminnestypTrippelnivåcell (TLC)
FormfaktorM.2 2280
GränssnittPCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Buffertstorlek1 GB
EgenskaperTRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Dimensioner (BxDxH)22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vikt8 g
Tillverkarens garanti5 års garanti
Allmänt
Typ av enhetSolid state drive - inbyggd
Kapacitet1 TB
MaskinvarukrypteringJa
Krypteringsalgoritm256 bitars AES
NAND-flashminnestypTrippelnivåcell (TLC)
FormfaktorM.2 2280
GränssnittPCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Buffertstorlek1 GB
EgenskaperTRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Bredd22.15 mm
Djup80.15 mm
Höjd2.38 mm
Vikt8 g
Prestanda
SSD-hållbarhet600 TB
Intern datafrekvens3500 MBps (läs)/ 3300 MBps (skriv)
4 KB Random Read19000 IOPS
4 KB Random Write60000 IOPS
Maximalt 4 KB Random Write550000 IOPS
Max 4kB random read600000 IOPS
Pålitlighet
MTBF (genomsnittstid mellan fel)1,500,000 timmar
Expansion och anslutningar
GränssnittPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibelt fackM.2 2280
Strömtillförsel
Strömkonsumtion6 Watt (genomsnitt)
9 Watt (max)
30 mW (max i viloläge)
Diverse
Standarder som följsIEEE 1667
Tillverkarens garanti
Service och supportBegränsad garanti - 5 år
Miljöparametrar
Min temperatur vid drift0 °C
Max temperatur vid drift70 °C
Stöttolerans (vid drift)1500 g @ 0,5 ms halvsinus
;