ComputerSalg.se : Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - Solid state drive - krypterat - 500 GB - inbyggd - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - buffert: 512 MB - 256 bitars AES - TCG Opal Encryption

Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - Solid state drive - krypterat - 500 GB - inbyggd - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - buffert: 512 MB - 256 bitars AES - TCG Opal Encryption

Varenr.: [5019680] | Producent: Samsung | Model-nr.: MZ-V7S500BW | EAN: 8801643628116

Finns i lager, beställ före kl. 16:00 så skickar vi idag (vardagar) Mer info

LAGERKAMPANJ

Det finns 10 enheter i lager

Det aktuella priset är giltigt så länge det lokala lagret räcker

SEK 1.286,00
exkl. moms 1.028,80
Totalt inkl. frakt 1.286,00
Lägg i kundvagn
970 EVO Plus är snabbare än 970 EVO och drivs av V-NAND-teknologin och optimerad firmware. Den maximerar potentialen i NVMe-bandbredden vilket ger oslagbar datakraft.

970 EVO Plus uppnår sekventiella läs-/skrivhastigheter på upptill 3 500/3 300 MB/s. Ökad prestanda tack vare V-NAND - som ger högre NAND-kapacitet och energisnålhet - tillsammans med optimerad firmware, en beprövad Phoenix-styrenhet och intelligent TurboWrite-boost.
  • Specifikationer
  • Specifikationer - Detaljerade
ProduktbeskrivningSamsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - solid state drive - 500 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
TypSolid state drive - inbyggd - TRIM-support, viloläge, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Kapacitet500 GB
MaskinvarukrypteringJa
Krypteringsalgoritm256 bitars AES
NAND-flashminnestypTrippelnivåcell (TLC)
FormfaktorM.2 2280
GränssnittPCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Buffertstorlek512 MB
EgenskaperTRIM-support, viloläge, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Dimensioner (BxDxH)22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vikt8 g
Tillverkarens garanti5 års garanti
Allmänt
Typ av enhetSolid state drive - inbyggd
Kapacitet500 GB
MaskinvarukrypteringJa
Krypteringsalgoritm256 bitars AES
NAND-flashminnestypTrippelnivåcell (TLC)
FormfaktorM.2 2280
GränssnittPCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Buffertstorlek512 MB
EgenskaperTRIM-support, viloläge, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Bredd22.15 mm
Djup80.15 mm
Höjd2.38 mm
Vikt8 g
Prestanda
SSD-hållbarhet300 TB
Intern datafrekvens3500 MBps (läs)/ 3200 MBps (skriv)
4 KB Random Read19000 IOPS
4 KB Random Write60000 IOPS
Maximalt 4 KB Random Write550000 IOPS
Max 4kB random read480000 IOPS
Pålitlighet
MTBF (genomsnittstid mellan fel)1,500,000 timmar
Expansion och anslutningar
GränssnittPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibelt fackM.2 2280
Strömtillförsel
Strömkonsumtion5.8 Watt (genomsnitt)
9 Watt (max)
30 mW (max i viloläge)
Diverse
Standarder som följsIEEE 1667
Tillverkarens garanti
Service och supportBegränsad garanti - 5 år
Miljöparametrar
Min temperatur vid drift0 °C
Max temperatur vid drift70 °C
Stöttolerans (vid drift)1500 g @ 0,5 ms halvsinus